MOSFET

金属氧化物半导体场效应晶体管

产品选型表

产品名称 类型 漏源电压(Vdss) 漏极电流(Id) 漏源导通电阻(RDS On) 栅源电压(Vgs) 总栅极电荷(Qg) 输入电容（Ciss） 封装 工作温度范围 产品手册
JL-12N65 N沟道 650V 12A VGS=10V,ID=6.0A 25V 54nC 1900pFTyp TO220 -55~150℃
JL-A9452 N沟道 20V 4A 38mΩ@10V ±12 570pFMAX SOT89-3L -55~+150℃
JL090N12N N沟道 120V 80A 7.8mΩ-8.5mΩ 4.0V 51.0 3517pFTyp TO-252 -55~150℃
JL3400NSA N沟道 30V 5.8V <30mGΩ@S=10V ±12 9.5nc 300pFTyp sot-23 -55~150℃
JL4437 P沟道 -30V -1到-20µA 10-14mΩ -1.4V -2V 3703pFTyp SOP8 -45~125℃
JL7343PBF N+P,双管 +55,-55V +17,-17A ≤134mΩ@VGS=-10V,ID=-8.5A 2.0-4.0 19nC 638pFTyp SOP8 -55~+150℃
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